DRAM厂商开发高带宽类内存,dram领域

内存发展史

内存是计算机很重要的一个资源,因为程序只有被加载到内存中才可以运行;此外,CPU所需要的指令与数据也都是来自内存的。可以说,内存是影响计算机性能的一个很重要的因素。

VirtualChannelDRAM:VirtualChannel“虚拟信道”是加装在内存单元与主控芯片上的内存控制部分之间,相当于缓存的一类寄存器。使用VC技术后,当外部对内存进行读写操作时,将不再直接对内存芯片中的各个单元进行读写操作,而改由VC代理。

从某种角度讲,DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。

内存容量是指该内存条的存储容量,是内存条的关键性参数。内存容量以GB作为单位,可以简写为G。

与传统电脑内存不同,闪存的特点是非易失性(也就是所存储的数据在主机掉电后不会丢失),其记录速度也非常快。Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。

什么是HBM内存?

HBM内存,全名叫高带宽存储器(High Bandwidth Memory,缩写HBM)。

高速内存线。用于连接集成电路(IC)芯片和高性能内存模块(HBM)的高速数据传输线,HBM线采用并行布线结构,能够实现高带宽和低延迟的数据传输,为高性能计算和图形处理领域提供了有效的内存解决方案。

下图是DDR5芯片接收端的设计架构。另外,DDR5还会采用HBM的封装以提高内存芯片的密度和通道数。High Bandwidth Memory (HBM) 技术最早来源于AMD、Hynix、UMC、Amkor、ASE等公司,是一种高速的3D封装的RAM接口技术。

HBM2E具有高速,大容量和低功耗的特点;它是下一代AI系统的最佳内存解决方案,这些系统都需要高级计算性能。

内存条的发展经历了哪几代

1、内存条有三代,分别是:DDR DDR2 DDR3 一代的有266 400 等频率 二代的有533 800等频率 三代的有1033 1066等频率 这些频率都是内存的重要数据,有事购买内存的重要参考。

2、内存条的主要情况如下 按内存类型分:DDR ,DDR2,DDR3 。按内存主频分: DDR3 2000, DDR3 1800, DDR3 1600, DDR3 1333,DDR3 1066,DDR2 1066, DDR2 800, DDR400 。

3、二代内存,2017年笔记本内存条是第2代,内存条分为三代,从上到下分别是DDR、DDRDDR3。内存条是CPU可通过总线寻址,并进行读写操作的电脑部件,内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。

4、他们的分别当然是离现在越近的存取速度越快了,但在DDR前的Rambus DRAM速度应该比DDR快,但成本过高限制了它的发展。这里有篇文章专门介绍:http://。

5、截至2019年,DDR内存出到4代了。DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日,三星电子完成史上第一条DDR4内存。

6、已经发展到大概四代了,不过现在主流都是三代想,代的内存已经基本上大部分游戏和办公的使用了,容量方面最高也到了64G了,不过主流都是16G左右。

相变内存的英特尔研究员解说

英特尔研究员和内存技术开发经理AlFazio星期三向记者解释说,这种技术产生的堆叠内存阵列有可能取代目前DRAM内存和NAND闪存的一些工作。这种技术甚至能够让系统设计师把一些DRAM内存和固态内存的一些存储属性缩小到一个内存类。

相变内存的另外一个优点是,可以在不删除现有数据的情况下写入数据,这比如今的内存更为快捷。根据统计,相变内存的功耗只有现有闪存的一半,但是读写速度可以达到闪存的1000倍。

相变存储器(PCM)是一项极富潜力的新型存储技术,英特尔为此保持着高投入,即将合资成立的Numonyx公司的技术方向之一就是PCM。

其他芯片制造商也在积极开发相变内存,其中有英特尔公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半导体公司、Hynix半导体公司和Ovonyx。台积电和ITRI也在开发磁性随机储存内存技术(MRAM),双方已经获得了与此有关的40多项专利。

英特尔内存XMP的作用为:开启XMP后主板会自动读取内存预设的设置,工作在更高的频率,内存性能也会相对提升,游戏玩家可以将其频率提升,从而提升性能。

英特尔傲腾内存(Optane Memory)是一种为传统机械硬盘提供更高的性能和响应能力,使得机械硬盘在拥有高容量的同时也能高速存储的缓存设备。

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